MMUN2112LT1G

Symbol Micros: TMMUN2112
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0611 0,0228 0,0122 0,0091 0,0084
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2112LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0148
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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