MMUN2113LT1G

Symbol Micros: TMMUN2113
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2113LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2590 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0621 0,0239 0,0117 0,0093 0,0089
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP