MMUN2132LT1G

Symbol Micros: TMMUN2132
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 27
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2132LT1G RoHS A6J Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 10+ 40+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,1122 0,0495 0,0324 0,0207 0,0173
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 27
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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