MMUN2132LT1G

Symbol Micros: TMMUN2132
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 27
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2132LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1158 0,0529 0,0287 0,0213 0,0193
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2132LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0193
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2132LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
666000 stk.
Anzahl Stück 36000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0193
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Verlustleistung: 400mW
Stromverstärkungsfaktor: 27
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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