MMUN2211LT1G

Symbol Micros: TMMUN2211lt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2211LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1183 0,0541 0,0294 0,0221 0,0197
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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