MMUN2214LT1G

Symbol Micros: TMMUN2214
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2214LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
31039 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0884 0,0348 0,0203 0,0149 0,0136
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN