MMUN2215LT1G

Symbol Micros: TMMUN2215
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 350
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 350
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN