MMUN2231LT1G

Symbol Micros: TMMUN2231

Gehäuse: SOT23

Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23

Parameter

Verlustleistung:	400mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	15
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2231LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0904	0,0357	0,0208	0,0152	0,0139

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2231LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

300000 stk.

Anzahl Stück	39000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0139

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2231LT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0161

Verlustleistung:	400mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	15
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN