MMUN2233LT1G ONS

Symbol Micros: TMMUN2233
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1023 0,0404 0,0235 0,0172 0,0157
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
450000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMUN2233LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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