MOT120N10A TO220 MOT

Symbol Micros: TMOT120N10A MOT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 120A; 130W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3710; IRF540N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: MOT Hersteller-Teilenummer: MOT120N10A RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7396 0,4646 0,3629 0,3421 0,3213
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT