MOT20N06D TO252 MOT

Symbol Micros: TMOT20N06D MOT

Gehäuse: TO252 (DPAK)

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 20A; 26W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024N; IRLR024NPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024PBF; IRLR024TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	26W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	26W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD