MOT50N06D TO252 MOT

Symbol Micros: TMOT50N06D MOT

Gehäuse: TO252 (DPAK)

Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	MOT
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD