MOT5N50MD TO-252 MOT

Symbol Micros: TMOT5N50MD MOT
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Kanal MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRFR420TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT5N50MD RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3306 0,1821 0,1431 0,1325 0,1270
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: MOT
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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