MS10N100HGC0

Symbol Micros: TMS10N100HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
MOSFET 10A,1000V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,95Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 186,5W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS10N100HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 1,5912 1,1768 1,0040 0,9495 0,9353
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/120
Widerstand im offenen Kanal: 1,95Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 186,5W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole