MS12N120HGC0

Symbol Micros: TMS12N120HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
MOSFET 12A,1200V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 750W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS12N120HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
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60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
Nettopreis (EUR) 3,3126 2,8461 2,6306 2,5904 2,5478
Standard-Verpackung:
30/60
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 750W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT