MS18N100HGC0

Symbol Micros: TMS18N100HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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MOSFET 18A,1000V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 470W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS18N100HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,5857 2,1334 1,9298 1,8919 1,8469
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Standard-Verpackung:
30/60
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 470W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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