MS30N100HGC0

Symbol Micros: TMS30N100HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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MOSFET 30A,1000V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 290W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS30N100HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,0182 3,5683 3,2984 3,1658 3,0900
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 290W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

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