MS30N100HGC0

Symbol Micros: TMS30N100HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
MOSFET 30A,1000V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 290W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 30
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 290W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT