MS30N90ICE0

Symbol Micros: TMS30N90ICE0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
MOSFET 30A,900V,TO-263
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 222mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
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Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 50
Widerstand im offenen Kanal: 222mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD