MS30N90ICE0

Symbol Micros: TMS30N90ICE0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
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MOSFET 30A,900V,TO-263
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 222mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS30N90ICE0 RoHS Gehäuse: TO263t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3235 2,9653 2,7504 2,6117 2,5562
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 222mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 240W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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