MS3N100HGD0

Symbol Micros: TMS3N100HGD0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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MOSFET 3A,1000V,TO-252
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS3N100HGD0 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4807 0,2889 0,2214 0,1994 0,1925
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 5,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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