MS3N100HGD0

Symbol Micros: TMS3N100HGD0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
MOSFET 3A,1000V,TO-252
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: 5,8Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD