MS3N100HGD0
Symbol Micros:
TMS3N100HGD0
Gehäuse: TO252
MOSFET 3A,1000V,TO-252
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Maspower |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 500
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Maspower |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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