MS4N250HGC0

Symbol Micros: TMS4N250HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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MOSFET 4A,2500V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS4N250HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 8+ 20+
Nettopreis (EUR) 27,1825 26,5669 26,0933 25,7382 25,4067
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Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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