MS4N250HGC0

Symbol Micros: TMS4N250HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
MOSFET 4A,2500V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 4
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 520W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT