MS5N200HGC0

Symbol Micros: TMS5N200HGC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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MOSFET 5A,2000V,TO-247
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 625W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS5N200HGC0 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 8+ 20+
Nettopreis (EUR) 26,9211 26,2835 25,8348 25,4806 25,1500
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Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 625W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 2000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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