MS8N100FT

Symbol Micros: TMS8N100FT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
MOSFET 8A,1000V,TO-220
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 167W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-07-11
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 167W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT