MS8N100FT

Symbol Micros: TMS8N100FT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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MOSFET 8A,1000V,TO-220
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 167W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MS8N100FT RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2384 0,8666 0,6938 0,6725 0,6512
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 167W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Maspower
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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