MSG30T65FS

Symbol Micros: TMSG30T65FS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 60A; 120A; 156W; 4,5V~6,5V; 64,5nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 64,5nC
Maximale Verlustleistung: 156W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Maspower
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MSG30T65FS RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1999 0,8383 0,6679 0,6403 0,6310
Standard-Verpackung:
50/150
Gate-Ladung: 64,5nC
Maximale Verlustleistung: 156W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT