MSG40T120FQC

Symbol Micros: TMSG40T120FQC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 568W; 4,5V~6,5V; 147,7nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 147,7nC
Maximale Verlustleistung: 568W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 147,7nC
Maximale Verlustleistung: 568W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT