MSG40T65HHC0

Symbol Micros: TMSG40T65HHC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 375W; 4V~6V; 219nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 219nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MSG40T65HHC0 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Nettopreis (EUR) 1,5597 1,1542 0,9837 0,9399 0,9169
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/90
Gate-Ladung: 219nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole