MSG50T120FQW

Symbol Micros: TMSG50T120FQW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO264
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Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 198nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 311nC
Maximale Verlustleistung: 535W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: Maspower
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MSG50T120FQW RoHS Gehäuse: TO264 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,4172 2,9387 2,7310 2,6843 2,6283
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Standard-Verpackung:
25/50
Gate-Ladung: 311nC
Maximale Verlustleistung: 535W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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