MSG60T65HHC0

Symbol Micros: TMSG60T65HHC0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Transistor IGBT ; 650V; 30V; 120A; 240A; 260W; 3V~6V; 132nC; -55°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 132nC
Maximale Verlustleistung: 260W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 240A
Max. Kollektor-Strom: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MSG60T65HHC0 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
Nettopreis (EUR) 2,1691 1,7204 1,5251 1,4739 1,4460
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Standard-Verpackung:
30/90
Gate-Ladung: 132nC
Maximale Verlustleistung: 260W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 240A
Max. Kollektor-Strom: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT

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