MSG75T65FQC

Symbol Micros: TMSG75T65FQC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 439W; 4,5V~6,5V; 198nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 24,4nC
Maximale Verlustleistung: 439W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Hersteller: MASPOWER Hersteller-Teilenummer: MSG75T65FQC RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,6166 2,0774 1,8417 1,7996 1,7436
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 24,4nC
Maximale Verlustleistung: 439W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Maspower
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT