MSG75T65FQC
Symbol Micros:
TMSG75T65FQC
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 439W; 4,5V~6,5V; 198nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 24,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 439W |
| Max. Kollektor-Strom: | 150A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Maspower |
| Gate-Ladung: | 24,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 439W |
| Max. Kollektor-Strom: | 150A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Maspower |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate - Emitter Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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