MSJPF11N65-BP

Symbol Micros: TMSJPF11N65-BP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-220F
N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 31,3W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT