MUN5111DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5111dw

Gehäuse: SOT363

2PNP 50V 100mA 250mW 2PNP 50V 100mA 250mW

Parameter

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5111DW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0271

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5111DW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0276

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5111DW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0286

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xPNP