MUN5111DW1T1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TMUN5111dw
Gehäuse: SOT363
2PNP 50V 100mA 250mW 2PNP 50V 100mA 250mW
Parameter
| Verlustleistung: | 385mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 385mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xPNP |
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