MUN5211T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMUN5211t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
NPN 100mA 50V 202mW NPN 100mA 50V 202mW
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 60
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1255 0,0576 0,0313 0,0233 0,0209
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 60
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN