MUN5211T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMUN5211t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
NPN 100mA 50V 202mW NPN 100mA 50V 202mW
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1194 0,0547 0,0299 0,0223 0,0199
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0199
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück 33000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0199
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-07-30
Anzahl Stück: 3000
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN