MUN5212DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5212dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2NPN 50V 100mA 250mW 2NPN 50V 100mA 250mW
Parameter
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1183 0,0543 0,0295 0,0221 0,0197
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole