MUN5212DW1T1G ONSemiconductor

Name: TMUN5212dw TMUN5212dw
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMUN5212dw
Price: 0.0295 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMUN5212dw

Gehäuse: SOT363

2NPN 50V 100mA 250mW 2NPN 50V 100mA 250mW

Parameter

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	100
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1186	0,0545	0,0296	0,0222	0,0198

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0241

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

87000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0295

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	100
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xNPN