MUN5212DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5212dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 50V 100mA 250mW 2NPN 50V 100mA 250mW
Parameter
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1194 0,0548 0,0298 0,0223 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0248
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5212DW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
735000 stk.
Anzahl Stück 21000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

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