MUN5213T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5213
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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NPN 50V 100mA 202mW NPN 50V 100mA 202mW
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2800 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0690 0,0266 0,0130 0,0103 0,0099
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
165000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0147
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Standard-Verpackung:
30000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
2697000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0116
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 310mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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