MUN5235DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5235dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88 t/r
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5235DW1T1G
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 500nA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 500nA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN