MUN5311DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5311dw

Gehäuse: SC-88 t/r

Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Parameter

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SC-88 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5311DW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1616	0,0768	0,0432	0,0327	0,0294

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5311DW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r

Externes Lager:

660000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0294

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5311DW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r

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1092000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0294

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5311DW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r

Externes Lager:

111000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0294

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	SC-88 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP