MUN5311DW1T1G

Symbol Micros: TMUN5311dw

Gehäuse: SC-88 t/r

Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Parameter

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	60
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	60
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP