MUN5312DW1T1G

Name: TMUN5312dw TMUN5312dw
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TMUN5312dw
Price: 0.1904 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMUN5312dw

Gehäuse: SC-88 t/r

Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Parameter

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	100
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5312DW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1134	0,0448	0,0261	0,0191	0,0174

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5312DW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r

Externes Lager:

1500000 stk.

Anzahl Stück	18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0200

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5312DW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r

Externes Lager:

669000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0237

Verlustleistung:	385mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	100
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP