MUN5314DW1T1G ON SEMI

Symbol Micros: TMUN5314dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V
Parameter
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SC70-6
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MUN5314DW1T1G RoHS Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2120 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1259 0,0577 0,0313 0,0235 0,0210
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 385mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SC70-6
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP