NCE3080K NCE POWER

Symbol Micros: TNCE3080k

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	83A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NCE Power Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NCE3080K RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	600+
Nettopreis (EUR)	0,4217	0,2756	0,1962	0,1713	0,1626

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	83A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD