NCE3080K NCE POWER

Symbol Micros: TNCE3080k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 83A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 83A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD