NCE3080K NCE POWER

Symbol Micros: TNCE3080k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 80A; 83W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 83A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: NCE Power Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NCE3080K RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3685 0,2033 0,1598 0,1481 0,1419
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 83A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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