NDC7001C SOT6
Symbol Micros:
TNDC7001c
Gehäuse: SOT6
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 510mA/340mA; 960mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 510mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT6 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 510mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 960mW |
| Gehäuse: | SOT6 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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