NDC7003P

Symbol Micros: TNDC7003p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT6L
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2xP-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 340mA; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDC7003P RoHS Gehäuse: SSOT6L  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5008 0,2777 0,2188 0,2065 0,1999
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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