NDS0610

Symbol Micros: TNDS0610

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20 Ohm; 120mA; 360 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: NDS0610-G;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20Ohm
Max. Drainstrom:	120mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3161 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2232	0,1132	0,0685	0,0543	0,0496

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1365000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0496

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

60000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0496

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0496

Widerstand im offenen Kanal:	20Ohm
Max. Drainstrom:	120mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD