NDS331N HXY MOSFET

Symbol Micros: TNDS331n HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: NDS331N Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: NDS331N RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1347 0,0617 0,0336 0,0251 0,0225
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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