NDS332P

Symbol Micros: TNDS332p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 740 mOhm; 1A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 740mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDS332P RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2059 0,1127 0,0738 0,0637 0,0588
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 740mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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