NDS332P

Symbol Micros: TNDS332p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 740 mOhm; 1A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 740mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDS332P RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2268 0,1242 0,0815 0,0702 0,0648
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS332P Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1051
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 740mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD