NDS355AN smd

Name: TNDS355an TNDS355an
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNDS355an
Price: 0.3053 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNDS355an

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS355AN RoHS Gehäuse: SOT23t/r

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1874 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7021	0,4438	0,3499	0,3194	0,3053

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS355AN Gehäuse: SOT23

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321000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3053

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS355AN Gehäuse: SOT23

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129000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3053

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS355AN Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

84000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3053

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD