NDS355AN smd

Symbol Micros: TNDS355an
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDS355AN RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1874 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7099 0,4487 0,3538 0,3229 0,3086
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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