TNDS356ap

Symbol Micros: TNDS356ap

Gehäuse: SOT23

Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 4,5V; 200mOhm; 1,1A; 500mW; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4,5V

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	1,1A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4,5V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD