NDS7002A

Symbol Micros: TNDS7002a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 300 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDS7002A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2090 0,1060 0,0643 0,0509 0,0464
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS7002A Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
198000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0464
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS7002A Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0464
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD