NDT2955 smd

Symbol Micros: TNDT2955

Gehäuse: SOT223

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 513 mOhm; 2,5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	513mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

3340 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5624	0,3416	0,2619	0,2368	0,2252

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

361434 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2252

Widerstand im offenen Kanal:	513mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD