NDT2955 smd
Symbol Micros:
TNDT2955
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 513 mOhm; 2,5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 513mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT2955 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
3350 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8038 | 0,5102 | 0,4007 | 0,3658 | 0,3495 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT2955
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
29000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3495 |
Widerstand im offenen Kanal: | 513mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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