NDT2955 smd

Symbol Micros: TNDT2955
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 513 mOhm; 2,5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 513mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
3350 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8038 0,5102 0,4007 0,3658 0,3495
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
29000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,3495
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 513mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD