NDT3055

Symbol Micros: TNDT3055
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
32000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3372
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2815
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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