NDT3055L smd

Symbol Micros: TNDT3055l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055L RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
166 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6678 0,4220 0,3339 0,3038 0,2899
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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