NDT3055L smd
Symbol Micros:
TNDT3055l
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT3055L
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3208 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT3055L
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
156000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2145 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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