NDT3055L smd

Symbol Micros: TNDT3055l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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