NDT3055L smd

Name: TNDT3055l TNDT3055l
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TNDT3055l
Price: 0.2845 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNDT3055l

Gehäuse: SOT223

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055L RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

166 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6717	0,4245	0,3359	0,3055	0,2916

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055L Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

636000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2916

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055L Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3555

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD