TNDT454p

Symbol Micros: TNDT454p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-MOSFET 5.9A 30V 1.1W 0.05Ω
Parameter
Transistor-Typ: P-MOSFET
Drain-Widerstand (Rds on): 0,05 Ohm
Drainstrom: 5,9A
Leistung: 1,1W
Spannung [Uds]: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Transistor-Typ: P-MOSFET
Drain-Widerstand (Rds on): 0,05 Ohm
Drainstrom: 5,9A
Leistung: 1,1W
Spannung [Uds]: 30V