NDT456P SOT223

Symbol Micros: TNDT456p

Gehäuse: SOT223

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	54mOhm
Max. Drainstrom:	7,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT456P Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4686

Widerstand im offenen Kanal:	54mOhm
Max. Drainstrom:	7,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD